adv

adv

英特尔和美光宣布3D Xpoint记忆芯片

Intel 科技
WinterIsComing (31822)发表于 2015年07月29日 11时03分 星期三
来自等产品出来再说部门
英特尔和美光科技透露了3D Xpoint记忆芯片,称它比Flash记忆芯片更快(速度提升1000倍),能比DRAM芯片储存更多数据(但没DRAM快),功耗比两者都低。3D Xpoint被认为是记忆芯片领域的一大突破,但也有研究人员质疑它们是在炒作。Flash芯片对现有的智能手机和PC已足够用了,但大数据、云计算以及高清视频游戏将会受益于更快的3D Xpoint芯片。英特尔和美光花了超过10年时间研究3D Xpoint技术,两家公司在美国犹他州投资建立了一座工厂去生产3D Xpoint芯片样品。

评论已经自动封存,请勿再发言论
显示选项 样式:
声明: 下面的评论属于其发表者所有,不代表本站的观点和立场,我们不负责他们说什么。