IBM 透露世界首个 5 纳米硅芯片

IBM 科技
pigsrollaroundinthem (39396)发表于 2017年06月05日 19时59分 星期一
来自市场化等至少五年部门
与三星和 GlobalFoundries 合作的 IBM 公司透露了世界首个 5 纳米硅芯片。它是首批使用水平环绕式闸极晶体管(GAAFETs)和极紫外光刻技术的芯片。现有的芯片制造技术 FinFETs 随着晶体管越来越小已经逼近其极限,GAAFETs 被认为能接替 FinFETs, 它用水平鳍替代了 FinFETs 的垂直鳍。IBM 5纳米 GAAFETs 计算的一大优势是光刻复杂性显著下降,因为光刻的复杂性,硅芯片自 28 纳米工艺起其制造就变得越来越昂贵。IBM 研究院的硅设备负责人 Huiming Bu 称,5 纳米芯片首次使用了极紫外光刻技术,其波长比现有的浸没式光刻更窄。IBM 称,5 纳米芯片在相同功率下性能提升 40%,它声称能在 50 平方毫米的芯片挤压进最高 300 亿个晶体管