您好,您关注的内容已在最近一次服务器维护中进行了备份收藏。如您想阅读此内容,请发送邮件标题为:“申请查看历史备份内容”,正文为:要查看的文章链接,发送至solidot@zhiding.cn,进行申请查看。
「星期四」 Hello Thursday

新内存芯片挑战DRAM和Flash

一家美国创业公司开发出一种更紧凑更快的内存芯片,向DRAM和Flash芯片发起了挑战。新的内存芯片被称为交叉内存(crossbar memory),由Crossbar研发,该公司联合创始人兼首席科学家是密歇根大学教授Wei Lu。演示用交叉内存芯片正在台积电制造,一块200平方毫米大小的芯片能储存1TB数据,相比之下,一块类似大小的flash内存芯片只能储存16GB数据。所谓交叉内存是指出两层均匀分布棒状的电极上下叠加在一起,上层和下层呈直角,形成一个网格。数据比特就储存在交叉点。在Crossbar的芯片中,上层电极由银构成,下层由非金属导体构成,用非晶硅在交叉点储存数据。Crossbar获得了2500万美元的投资商业化Lu的研究。

blackhat 发表于

1970年01月01日 08时00分