三星电子开始量产 3 纳米芯片。三星周四表示，已在其装配线上开始 3 纳米制程芯片的批量生产。这种芯片首次采用全环绕栅极 (GAAFET)技术。 三星表示，在初始生产阶段，3 纳米制程使新芯片的性能提高了 23%，功耗降低了 45%，并将产品尺寸节省了 16%。该公司表示预计在下一阶段性能会提高，功耗和产品尺寸还将进一步下降。三星计划中的第二代 3 纳米制程 3GAP(lus)功耗降低 50% 或性能改进 30%。