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IBM和三星推出垂直传输场效应晶体管(VTFET)

硬件 科技
wanwan (42055)发表于 2021年12月17日 17时57分 星期五
来自秘密团伙
IBM 和三星声称他们在半导体设计方面取得突破。在旧金山举行的 IEDM(国际电子器件会议)的第一天,两家公司公布了一种在芯片上垂直堆叠晶体管的新设计。对当前的处理器和 SoC 而言,晶体管平铺在硅的表面上,电流从一侧流向另一侧。垂直传输场效应晶体管 (VTFET) 彼此垂直,电流也垂直流动。IBM 和三星称,这种设计有两个优点。首先它将允许绕过许多性能限制,将摩尔定律扩展到 IBM 现在的纳米片技术之外。更重要的是,由于电流更大,该设计减少了能源浪费。他们估计 VTFET 将使处理器的速度比采用 FinFET 晶体管设计的芯片快两倍或功耗降低 85%。IBM 和三星宣称,有朝一日,这一工艺可能会让手机充上一次电就能用整整一周。他们表示,它还可以使某些能源密集型任务(包括加密货币挖矿)更加节能,因此减少对环境的影响。